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元件参数资料
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参数目录41745
> CSD16407Q5 MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
型号:
CSD16407Q5
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Texas Instruments
描述:
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
CSD16407Q5 PDF
产品培训模块
NexFET MOSFET Technology
视频文件
NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview
产品目录绘图
CSD164 Series N-Channel Pkg
标准包装
1
系列
NexFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.4 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.9V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2660pF @ 12.5V
功率 - 最大
3.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
8-SON
包装
标准包装
产品目录页面
1623 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
296-24252-6
查看CSD16407Q5代理商
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